טרנזיסטור IGBT

טרנזיסטור IGBT הוא רכיב שמשלב תכונות של MOSFET ו‑BJT. MOSFET הוא טרנזיסטור שמבוקר על‑ידי מתח בשער. BJT הוא טרנזיסטור ביפולארי שעובד עם זרם כדי להפעיל עומס. השילוב מאפשר בנייה של מפסק בודד בעל יתרונות משני הסוגים.
התקנים כאלה נפוצים באספקת כוח ובבקרת מנועים חשמליים. הם שימשו מאז שנות ה־80 ותחילת ה־90 של המאה ה־20. הדור הראשון היה איטי יותר במיתוג וסבל מבעיות כמו "היתפסות" מתח וכשלים בגלל חום.
הדור השני שיפר אמינות, והדור השלישי הביא קפיצה בביצועים. בדור השלישי זמני המיתוג דומים לאלה של MOSFET, ושיפור באמינות ובעמידות לעומס יתר. התקנים אלו משמשים גם ליצירת פולסים חזקים בפיזיקת חלקיקים ובפלזמה.
בהתאם למחירם הנמוך יחסית, חובבים משתמשים בהם בניסויים כמו סליל טסלה. שימוש תעשייתי בולט הוא בכלי רכב היברידיים; לדוגמה, הפריוס משתמש בממיר של כ־50 קילוואט המבוסס על IGBT.

IGBT הוא רכיב אלקטרוני שמשלב שני סוגי טרנזיסטורים. MOSFET (מופעל על ידי מתח, כלומר לחץ חשמלי). BJT (מופעל על ידי זרם, כלומר זרימת אלקטרונים). כך מקבלים מפסק חזק בחתיכה אחת.
את ה‑IGBT המציאו בשנות ה‑80 ותחילת ה‑90. הדגמים הראשונים היו איטיים ונוטים להתחמם. אחר כך שיפרו אותם, והדורות החדשים מהירים ואמינים יותר.
משתמשים ב‑IGBT באספקת חשמל ובכיבוי והפעלה של מנועים. הם גם מיועדים לייצור פולסים חזקים בפיזיקה. חובבים משתמשים בהם לניסויי סליל טסלה. במכוניות היברידיות כמו פריוס משתמשים בממיר של כ‑50 קילוואט שמבוסס על IGBT.